上篇分享只是简单提了下内存颗粒，其实这其中还是包含很多东西的，什么原片、白片、黑片，什么三星B-Die、特挑B-Die，什么CL16、CL17、CL18等问题，还涉及到简单超频的问题，这篇文章给大家一一解读。
黑片、白片、原片
内存颗粒分为原片、黑片、白片三种，内存颗粒生产过程中会进行两次检测，第一次是行业规定的检测，要求相对来说低；第二次是生产厂商进行的检测，这次检测很严格；首先进行的是行业标准检测，检测合格后进行第二次检测，第二次检测合格会打上颗粒型号和生产厂商的logo进行售卖，这就是原片。第一次检测合格，第二次检测不合格的是白片，不会出现厂商logo，仅会打上颗粒的型号。还有一种就是第一次检测就不合格的就是黑片，一般都是作报废处理。
不同厂商颗粒Die
颗粒作为内存上最重要的原件，选内存就是要选好的颗粒。下面对不同厂商的颗粒根据Die分别介绍如下图：
三星（Samsung）、镁光（Micron）
海力士（Hynix）
内存厂商在生产过程中会频繁地更换内存，同系列产品会出现不同的内存颗粒，想知道自己内存颗粒的，给大家推荐个软件ThaiphoonBurner（台风）去检测下就行了（附图）
内存颗粒识别
内存厂商把体质好的颗粒做成高频内存，例如3000MHz、3200MHz、3600MHz或者更高，把相对差一点的颗粒做成2400MHz、2666MHz内存，上标注的频率是这根内存能工作稳定承受的频率，所以有的购买高频内存的朋友要去主板里边手动调整频率。
颗粒排名
内存颗粒排名
讲颗粒可能有人不太懂，还是结合内存型号更直接一点：
三星特挑B-Die：威刚 龙耀D60G DDR4 3600MHz C14，影驰名人堂 HOF OC DDR4 4600MHz，芝奇焰光戟DDR4 3600MHz C14，影驰HOF EXTREME DDR4 4266MHz，芝奇F4-3200C14D，七彩虹iGame VulcanDDR4 4266MHz，芝奇 RGB 皇家戟 DDR4 4800 C18，幻光戟 3200 C14D，芝奇Trident Z Royal皇家戟DDR4 5000MHz
三星普通B-Die：宇瞻暗黑女神DDR4 3600MHz（部分），影驰名人堂DDR4 3600MHz，影驰名人堂DDR4 4000MHz，威刚 龙耀D60G 4133MHz，七彩虹iGame VulcanDDR4 3600MHz
镁光E-Die C9BJZ：英睿达普条／马甲条－－稳定耐用超频能力有限
海力士ＣＪＲ：金士顿掠食者DDR4－3600ＭＨｚ，金士顿雷电系列－－兼容性强
海力士ＡＦＲ：皇家戟ＤＤＲ４3000ＭＨｚC16，幻光戟ＤＤＲ４3000ＭＨｚC16－－超频能力提升，体质一般（相较于三星）
海力士ＭＦＲ：威刚红龙／金龙（部分），金士顿掠食者（部分），海盗船铂金统治者３２００ＭＨｚ／３６００ＭＨｚ（部分）－－稳定无超频能力
S降级颗粒：威刚万紫千红、海盗船复仇者
这里补充一个颗粒：台湾的南亚颗粒，多出现在威刚和金士顿内存上，目前有网友测试的其中的A-Die超频能力不俗，超频能力低于海力士的CJR，具体还要看到手的内存颗粒体质。
老司机会在其中看见出现Ｃ１４代表的是ＣＬ１４，这就是接下来要介绍的内存时序，大家常见到的是四个数用“－”连接，内存的时序其实就是内存的反应时间，当内存收到CPU发来的指令后，多长时间做出反应，这就是内存的时序。要想反应得越快，时序就要越短。
我们以“CL16-18-18-38”这个时序为例，时序中的四个数字分别对应着“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
CL（CAS Latency）：列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数
tRCD（RAS to CAS Delay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间
tRP（RAS Precharge Time）：内存行地址选通脉冲预充电时间
tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的时间
大家只需要知道结论：同频率下时序越短内存性能越好。
关于超频本人涉猎不多，不敢妄言！